二維過(guò)渡金屬二硫族化合物(TMDs),由于量子限域效應(yīng),展示了許多與其塊體材料不同的光、電、磁性質(zhì)。具有本征帶隙的二維TMDs,作為零帶隙石墨烯材料的互補(bǔ)材料,為新型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與光電器件提供了新的可能。最近關(guān)注的焦點(diǎn)主要集中在它們本征的或者平面異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的制備及其性質(zhì)、應(yīng)用的研究,主要在二維尺度上。除了二維尺寸和形式的變化,原子級(jí)薄的TMDs片自組裝,是一個(gè)新興的領(lǐng)域,目前探索很少。作為一種紙狀的薄膜材料,通過(guò)折疊和卷曲的組裝過(guò)程可以把二維材料相對(duì)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)變成復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如納米卷(NS)。這種納米卷在繼承原有結(jié)構(gòu)優(yōu)異特性的同時(shí),可能產(chǎn)生與眾不同的新性質(zhì)。但是,目前的研究現(xiàn)狀受限于機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)穩(wěn)定性,高質(zhì)量TMDs納米卷的制備存在巨大的挑戰(zhàn)。
在國(guó)家自然科學(xué)基金委和中科院先導(dǎo)項(xiàng)目的大力支持下,中科院化學(xué)所有機(jī)固體院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員開(kāi)發(fā)了一種簡(jiǎn)便的溶液誘導(dǎo)組裝方法,可以幾乎無(wú)損地獲得本征TMDs納米卷。氣相沉積法(CVD)制備的二維TMDs與襯底材料具有不同的熱膨脹系數(shù),因此從高溫(>700℃)生長(zhǎng)完成到冷卻至室溫時(shí)在二維材料表面會(huì)產(chǎn)生較大的張力。研究者僅用一滴乙醇溶液,滴到CVD生長(zhǎng)的二維材料表面,利用乙醇溶液的插入效應(yīng),在5秒鐘內(nèi)獲得了高質(zhì)量的TMD納米卷(圖1),收率接近100%。掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、拉曼測(cè)試表征展示了獲得的TMDs納米卷卷曲致密、無(wú)雜質(zhì)、高結(jié)晶性的特點(diǎn);谄浒⒒椎侣菪Y(jié)構(gòu),納米卷的整個(gè)片層都能夠參與載流子的輸運(yùn),與單層TMDs片相比,TMDs納米卷的場(chǎng)效應(yīng)晶體管遷移率是卷曲前單層TMDs片遷移率的30倍。獨(dú)特的自封裝結(jié)構(gòu)使TMDs納米卷展示了更高的光、電穩(wěn)定性。此外,基于其內(nèi)部開(kāi)放的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以納米卷為載體,在其間隙可調(diào)的層間負(fù)載了有機(jī)半導(dǎo)體分子、聚合物、納米粒子、二維材料以及生命活性物質(zhì),制備了在分子水平上復(fù)合的異質(zhì)TMDs納米卷,這將會(huì)賦予TMD-NS新的屬性和功能(圖2)。這些獨(dú)特的性質(zhì)為未來(lái)TMDs納米卷應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、光探測(cè)器、柔性邏輯電路、能源存儲(chǔ)和生物傳感等領(lǐng)域提供了材料基礎(chǔ)。
圖1 CVD生長(zhǎng)的TMDs片自卷曲的示意圖
圖2 MoS2納米卷的形貌 (a)、結(jié)構(gòu) (b)、光電性能表征 (c, d, h) 及復(fù)合TMDs納米卷 (e, f, g)。(比例尺:a, c, d, 5 μm; b, 20 nm, 插圖, 2 nm; f, 10 nm; g, 2 nm.)
該工作近期發(fā)表在Nature Commun. 2018, 9: 1301(DOI: 10.1038/s41467-018-03752-5)上。
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