Mg2Si與摻雜系列的電子結(jié)構(gòu)與熱電性能研究

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關(guān)鍵詞：

硅化鎂摻雜電子結(jié)構(gòu) 熱電性能

資料大小：

127K

所屬學(xué)科：

結(jié)構(gòu)表征

來源：

來源網(wǎng)絡(luò)

簡介：

用離散變分密度泛函分子軌道方法(DFT-DVM)計(jì)算了Mg2Si與摻Sb，Te和Ag系列，討論了電子結(jié)構(gòu)與熱電性能之間的關(guān)系。摻雜使得離子鍵和共價(jià)鍵強(qiáng)度降低，在費(fèi)米能級附近的能隙變小，從而提高材料電導(dǎo)率，降低材料熱導(dǎo)率，優(yōu)化了材料的熱電性能。以上結(jié)論與實(shí)驗(yàn)結(jié)果一致。

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2007-07-13 14:30:11

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