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保偏光纖應力元成分分布的電子探針分析及雙折射的模擬計算  
保偏光纖應力元成分分布的電子探針分析及雙折射的模擬計算
資料類型： PDF文件
關鍵詞： 保偏光纖  應力元  摻雜濃度  雙折射  
資料大?。?/td> 222K
所屬學科： 模擬技術
來源： 來源網(wǎng)絡
簡介：
利用電子探針波譜儀（WDS）對保偏光纖的橫截面進行了成分分析，得到了徑向摻雜元素的分布以及應力區(qū)和芯區(qū)的實際幾何形狀。實驗分析表明保偏光纖截面應力摻雜區(qū)成分分布比較明顯，從背散射像可以看出，中心白色區(qū)域為光纖的Ge摻雜的芯部，兩側(cè)黑色區(qū)域為B摻雜的應力區(qū)。掃描電鏡能譜分析得到光纖截面能譜圖，從而得到光纖內(nèi)的雜質(zhì)種類，這也是和工藝過程中所摻雜的元素相對應的。同時，在測得的應力元形狀的基礎上，利用微元算法模擬計算雙折射與應力元形狀及摻雜元素濃度的關系，為新型應力元結(jié)構光纖的設計提供依據(jù)。
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上傳時間： 2007-07-17 15:57:45
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