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化學(xué)所與日本索尼公司合作通過(guò)氣相刻蝕方法實(shí)現(xiàn)單壁碳納米管的選擇性分離/富集
2009-03-23  來(lái)源:中科院化學(xué)所
    自單壁碳納米管被發(fā)現(xiàn)以來(lái),其優(yōu)異的電學(xué)性能引起了廣泛的關(guān)注。但是,現(xiàn)有方法制備的單壁碳納米管都是金屬性管和半導(dǎo)體性管的混合物,兩種管的互相影響會(huì)降低彼此的器件性能。為使金屬性管和半導(dǎo)體性管各盡其用,而不是互相影響進(jìn)而降低彼此的器件性能,單壁碳納米管的分離/富集就顯得尤為重要,并成為本領(lǐng)域一個(gè)亟待解決的瓶頸問(wèn)題。
    化學(xué)所有機(jī)固體院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與日本索尼公司先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)室的科研人員合作,在單壁碳納米管分離/富集領(lǐng)域取得了新進(jìn)展,有關(guān)研究成果申請(qǐng)了發(fā)明專(zhuān)利并發(fā)表在近期的《先進(jìn)材料》(Adv. Mater., 200921, 813-816)上。
    他們采用實(shí)驗(yàn)室常用的化學(xué)氣相沉積裝置(圖1),在400oC的高溫下通入刻蝕性氣體,從而實(shí)現(xiàn)了單壁管的選擇性分離/富集。與當(dāng)前廣泛報(bào)導(dǎo)的溶液分離方法選擇性反應(yīng)(刻蝕)金屬性碳管不同,這種氣相刻蝕的方法選擇性刻蝕半導(dǎo)體性單壁管(圖2),被刻蝕的碳管轉(zhuǎn)化為二氧化碳?xì)怏w排出裝置外,而金屬性單壁管則被保留在了裝置內(nèi)。本方法對(duì)于不同直徑范圍的半導(dǎo)體管均有選擇性刻蝕作用,尤其是對(duì)于直徑小于1.18 nm半導(dǎo)體管,刻蝕效率高達(dá)90%。此外,本方法還具有成本低廉,操作方便,易于規(guī)模化及對(duì)金屬性碳管破壞性小等優(yōu)點(diǎn),為大規(guī)模富集金屬性單壁碳納米管提供了一個(gè)新的思路。北京大學(xué)物理系相關(guān)教授還利用密度泛函法對(duì)選擇性刻蝕進(jìn)行了理論計(jì)算。

圖1 用于氣相刻蝕的電爐裝置
 
圖2 選擇性分離前后碳管樣品的Raman 光譜(a,b),及紫外可見(jiàn)近紅外光譜(c,d)
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