 |
PCVD 法制備硅系納米復(fù)合薄膜材料 |
|
|
|
| 資料類型： |
PDF文件
|
| 關(guān)鍵詞： |
PCVD制備技術(shù) 硅系材料 納米復(fù)合薄膜 |
| 資料大小： |
171K |
| 所屬學(xué)科： |
高分子化學(xué) |
| 來源： |
來源網(wǎng)絡(luò) |
| 簡介： |
|
納米復(fù)合薄膜材料由于具有傳統(tǒng)復(fù)合材料和現(xiàn)代納米材料兩者的優(yōu)點(diǎn)，成為重要的前沿研究領(lǐng)域之一。其中半導(dǎo)體納米復(fù)合材料，尤其是硅系納米復(fù)合薄膜，由于具有獨(dú)特的光電性能，加之與集成電路相兼容的制備技術(shù)，有著廣泛的應(yīng)用前景。近年來關(guān)于納米復(fù)合薄膜的研究不斷深入，但仍有許多問題沒有完全解決。本文圍繞硅系納米復(fù)合薄膜的材料特點(diǎn)，說明了等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)技術(shù)的工作原理和裝置結(jié)構(gòu)，以及該技術(shù)在硅系納米復(fù)合薄膜制備中的獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)。并以氮化硅薄膜為重點(diǎn)，介紹納米復(fù)合薄膜材料的PCVD制備技術(shù)。文章最后對(duì)硅系納米復(fù)合薄膜的在光電技術(shù)等各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用前景做了一些展望。 |
|
| 上傳人： |
|
| 上傳時(shí)間： |
2007-07-06 15:49:29 |
| 下載次數(shù)： |
7036 |
| 消耗積分： |
2
|
| 立即下載： |
|
|
| 友情提示：下載后對(duì)該資源進(jìn)行評(píng)論，即可獎(jiǎng)勵(lì)2分。 |
|
| 報(bào)告錯(cuò)誤： |
1.下載無效
2. 資料明顯無價(jià)值
3. 資料重復(fù)存在 |
| |
|
|
| 你還沒有登錄，無法發(fā)表評(píng)論，請(qǐng)首先 |
 |
| 免責(zé)聲明：本站部分資源由網(wǎng)友推薦，來自互聯(lián)網(wǎng)，版權(quán)屬于原版權(quán)人，如果不慎侵犯到您的權(quán)利，敬請(qǐng)告知，我們會(huì)在第一時(shí)間撤除。本站中各網(wǎng)友的評(píng)論只代表其個(gè)人觀點(diǎn)，不代表本站同意其觀點(diǎn)。 |
|
|
|
|
