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李 曹^1,2    劉孝波¹

（1.中國科學院成都有機化學研究所，四川 成都，610041；2.中國科學院研究生院，北京，100039）

    摘要：通過溶膠–凝膠法原位合成具有較高介電常數(shù)的聚芳醚腈的TiO₂雜化薄膜，采用紅外光譜、X射線光電子能譜和掃描電子顯微鏡分析表明，TiO₂以納米離徑均勻分散在薄膜中。薄膜的介電常數(shù)與TiO₂的含量呈線性增長關系，在ω(TiO₂)為20％時達到6.21，并且介電強度沒有明顯的下降。綜合各項性能分析顯示ω(TiO₂)為15％的雜化薄膜具有優(yōu)良的力學性能、熱性能和介電性能。

    關鍵詞：聚芳醚腈  二氧化鈦  納米雜化材料  薄膜  介電性能

    中圖分類號：TQ 326.5    文獻標識碼：B    文章編號：1002-1396（2005）04-0018-04

    高能量密度電容器要求介電材料不但具有較高的介電常數(shù)，還應具有一定的擊穿強度（E_BD）。今年來，雜化材料研究為開發(fā)既具有高介電常數(shù)又具有優(yōu)良力學性能的材料提供了空間。

    聚芳醚腈（PEN）具有優(yōu)良的耐熱和力學性能及化學穩(wěn)定性，應用于軍事和航空航天領域。相比其他特種工程塑料，PEN具有較好的加工性能，除熔融加工外，還可采用溶液加工，這為雜化材料的制備提供了可能性。溶膠–凝膠法廣泛應用于含納米TiO₂雜化材料的制備。本工作利用PEN的優(yōu)良性能結合TiO₂的高介電性，采用原位溶膠–凝膠法和流延成膜法制備PEN的TiO₂雜化薄膜，并研究薄膜的力學和熱性能以及介電性能。